Caracteristicas:
- Marca: Samsung
- Modelo: MZ-V8V1T0B / AM
Especificações:
- Resistência: 600 TBW
- Capacidade: 1 TB
- Velocidade de leitura: Até 3.500 MBps
- Velocidade de escrita: Até 3.000 MBps
- Interface: PCIe Gen 3 x 4
- Fator de forma: Chave M.2 2280 M
- Arquitetura: MLC V-NAND de 3 bits
- Leitura aleatória de 4K: Até 500.000 IOPS
- Random Write 4K: Até 480.000 IOPS
Garantia: 12 Meses
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